，根据外媒 techspot 报道，本月早些时候，英国兰开斯特大学物理与工程系的研究人员发表了一篇论文，详细介绍了 UltraRAM超高效存储技术近期取得的重要进展。

这项技术的目标是将非易失闪存 NAND，易失性内存 RAM 结合在一起，兼顾能效，具有极高的耐用性此前，英特尔 Optane 傲腾已经做出了先行尝试，量产了傲腾内存产品，但是仍不足以完全替代 RAM与此同时，三星也有 Z—NAND 技术，铠侠和西部数据也希望将 XL—FLASH 存储应用到消费级或企业级存储产品中

具体来看，UltraRAM 芯片的制造工艺，与 LED，激光器，光电晶体管等半导体元件相似从结构上看，这种存储技术采用硅衬底，相比砷化镓成本大幅降低芯片具有复杂的多层结构，中央的结构还使用了氧化铝进行隔离

科学家表示，UltraRAM 的制造成本比较低，其拥有很高的性价比目前已经制造出的测试用原型，可以保证数据能够保存 1000 年，擦写次数可以超过 1000 万，几乎不需要考虑耐久性如果这种存储芯片能够实现比肩传统 RAM 的速度的话，将会对行业产生重大影响

制造过程图解:

本站了解到，UltraRAM使用共振隧穿量子力学效应，在施加电压后，允许势垒从不透明转为透明与 RAM 和 NAND 闪存使用的写入技术相比，UltraRAM 的写入过程非常节能，因此有助于提高移动设备的续航时间

兰开斯特大学的研究人员表示，他们需要进一步改进存储单元的制造工艺，提高存储密度这项技术有很大的潜力，可以消除传统计算机与专用内存进行数据传输的过程

随着全新高通ultraBAW射频滤波器的推出，高通技术公司从天线到调制解调器，射频的解决方案组合日臻完善。该组合包括此前推出的高通ultraSAW和其它多项射频前端组件，将在创新，性能和能效方面持续突破。