据BusinessKorea报道，三星电子将于6月30日开始量产基于全包围栅极技术的3nm半导体。

根据消息显示，三星电子将于6月30日正式宣布GAA基3纳米半导体量产GAA晶体管结构优于目前的FinFET结构，因为它可以减小芯片尺寸和功耗

如果消息属实，三星电子将在量产3纳米芯片方面抢先TSMC和英特尔，后两家公司计划分别在今年下半年和明年下半年开始量产3纳米芯片。

今年早些时候，一些行业观察人士担心，由于产量较低，三星电子可能会推迟3纳米半导体的大规模生产可是，这些担忧被证明是没有根据的

本站了解到，三星电子和TSMC在竞争激烈的3纳米工艺技术上有不同的技术路线三星电子率先采用全环绕栅晶体管，而TSMC继续采用FinFET架构三星电子此前曾表示，与目前的finfet架构相比，采用全包围栅晶体管技术的3nm工艺的性能将提高30%，能耗将降低50%，逻辑面积效率将提高45%以上