日前，东京理科大学的学者在纳米压印技术的研究上取得突破，实现了UV—NIL的突破，创造出分辨率低于10 nm的形貌。

UV—NIL技术由于不需要高温高压，具有低成本制备与光学光刻同等质量图像的潜力，是备受瞩目的纳米压印技术方向可是，由于之前对光致抗蚀剂材料的原子尺度特性的理解，很难实现小于10 nm的分辨率TUS学者Tadashi Ando领导的团队基于分子动力学模拟，阐明了光刻胶分子组成和压印过程的机理，发现并验证了适用于UV—NIL技术的光刻胶材料

安藤表示，该团队的研究成果可以为未来优化光刻胶材料的选择和设计提供指导，最终实现分辨率在10 nm以下的UV—NIL工艺的实际应用。